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[供应] JS28F064M29EWHA 64M NOR FLASH 优势现货

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  • TA的每日心情
    大哭
    2 小时前
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    发表于 2020-8-21 17:54:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
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    • Supply voltage
    – VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read)
    – VCCQ = 1.65–3.6V (I/O buffers)
    • Asynchronous random or page read
    – Page size: 8 words or 16 bytes
    – Page access: 25ns
    – Random access: 60ns (BGA); 70ns (TSOP)
    • Buffer program: 256-word MAX program buffer
    • Program time
    – 0.56µs per byte (1.8 MB/s TYP when using 256-
    word buffer size in buffer program without VPPH)
    – 0.31µs per byte (3.2 MB/s TYP when using 256-
    word buffer size in buffer program with VPPH)
    • Memory organization
    – 32Mb: 64 main blocks, 64KB each, or eight 8KB
    boot blocks (top or bottom) and 63 main blocks,
    64KB each
    – 64Mb: 128 main blocks, 64KB each, or eight 8KB
    boot blocks (top or bottom) and 127 main blocks,
    64 KB each
    – 128Mb: 128 main blocks, 128KB each
    • Program/erase controller
    – Embedded byte/word program algorithms
    • Program/erase suspend and resume capability
    – READ operation on any block during a PROGRAM SUSPEND operation
    – READ or PROGRAM operation on one block during an ERASE SUSPEND operation on another
    block
    • BLANK CHECK operation to verify an erased block
    • Unlock bypass, block erase, chip erase, and write to
    buffer capability
    – Fast buffered/batch programming
    – Fast block and chip erase
    • VPP/WP# pin protection

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    发表于 2020-8-29 12:27:07 | 显示全部楼层
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